Güney Kore merkezli yarı iletken devi SK hynix, Japonya’nın Kyoto kentinde düzenlenen IEEE VLSI 2025 Sempozyumu’nda önümüzdeki 30 yıla damga vuracak yeni DRAM teknolojisi yol haritasını duyurdu. Şirketin Teknoloji Direktörü (CTO) Cha Seon Yong’un paylaştığı vizyonda, performans ve kapasite sınırlarını zorlayan yeni nesil dikey kapı (4F² VG) mimarisi ile 3D DRAM teknolojileri öne çıktı. 4F2VG teknolojisi ile zirve hedefi
Cha, konuşmasında günümüz DRAM üretim teknolojilerinin fiziksel sınırlara dayandığını vurgularken, bu engelleri aşmak için 10nm altı üretim süreçlerine yönelik mimari, malzeme ve bileşenlerde radikal yeniliklere gidileceğini belirtti. Şirketin bu noktadaki çözümü ise 4F2VG (Vertical Gate, Dikey Kapı) teknolojisi.
4F2, bir bellek hücresinin kapladığı alanı ifade ediyor. Bugünün yaygın mimarisi olan 6F2 yapısına kıyasla daha yoğun entegrasyon sağlayan 4F2 hücre tasarımı, daha fazla hücrenin aynı alana yerleştirilmesine olanak tanıyor. Bu tasarım, dikey olarak konumlandırılmış geçit yapısıyla (Vertical Gate), hücrenin devre kısmını altta konumlandırarak hem alan verimliliğini hem de elektriksel performansı artırıyor.
SK hynix’in uzun vadeli stratejisinde 3D DRAM teknolojisi ise “ana yapı taşı” olarak tanımlanıyor. Katmanlı yapısıyla hücreleri dikey yönde istifleyen bu teknoloji, mevcut yatay düzlemde sınıra ulaşan DRAM gelişimini yeniden ivmelendirecek. Cha, katman sayısı arttıkça üretim maliyetlerinin de yükseldiği yönündeki sektör endişelerine karşın, bu durumun sürekli yenilikle aşılabileceğini ifade etti.
